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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
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（一些例外情况包括：在仅包含文件而不存在次级文件夹目录的文件夹中调整设置并不会使 .DS_Store 生成；在部分采用非日志式文件系统的外置存储介质上，调整文件夹的配置不会生成 .DS_Store。），更多细节参见safew官方版本下载
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